Hoşgeldiniz, Misafir . Oturum Aç . English
Neredeyim: Ninova / Dersler / Elektrik-Elektronik Fakültesi / EHB 442E - Yarı İletken Devre Elemanları
 

EHB 442E - Yarı İletken Devre Elemanları

Dersin Amaçları

1. Elektron-delik iletim mekanizmalarının anlaşılmasını sağlama,
2. Yarıiletken elemanların akım-gerilim değerlerini hesaplayabilme,
3. Yarıiletken elemanların akım-gerilim karakteristiklerini yorumlayabilme,
4. Yeni eleman tasarlayabilme ve boyutlandırabilme.

Dersin Tanımı

Yarıiletken kristalin bileşenleri. Poisson, akım ve süreklilik denklemleri. Enerji bant diyagramları. Isıl dengede yarıiletken. İnjeksiyon düzeyi. Tuzak kuramı. Isıl dengede BJT. Kutuplanmış BJT. BJT'de kuvvetli kutuplama etkileri. BJT'de dinamik davranış. MOSFET yapısı. Kutuplanmış MOSFET. MOSFET'te kuvvetli evirtim ve eşikaltı modelleri. MOSFET'te yapısal optimizasyon, ikincil olaylar ve dinamik davranış.

Koordinatörleri
Mustafa Berke Yelten
Dersin Dili
İngilizce
 
 
Dersler . Yardım . Hakkında
Ninova, İTÜ Bilgi İşlem Daire Başkanlığı ürünüdür. © 2018