Hoşgeldiniz, Misafir . Oturum Aç . English
Neredeyim: Ninova / Dersler / Elektrik-Elektronik Fakültesi / EHB 231E - Elektronik 1
 

EHB 231E - Elektronik 1

Dersin Amaçları

Bu dersin amacı
1. Katı cisimlerdeki iletim mekanizmalarını,
2. Diyot, bipolar transistor (BJT) ve MOS transistorun (MOSFET) akım mekanizmalarını,
3. Transistor modelleri, transistorların DC kutuplamalarını,
4. BJT ve MOSFET anahtar uygulamalarını tanıtmaktır

Dersin Tanımı

İletim. Yarıiletkenler, taşıyıcılar, p-tipi ve n-tipi katkılama, sürüklenme ve difüzyon mekanizmaları, pn jonksiyonunun
fiziksel yapısı ve davranışı. İdeal diyot, gerçek diyot, elektriksel davranışı ve akım-gerilim eğrisi. Diyot modeli, diyotlu
devrelerin DC analiz yöntemleri (sabit gerilim düşümü modeli, üstel modelle sabit nokta iterasyonu). Küçük işaret
yaklaşıklığı, diyot küçük işaret eşdeğeri ve diyotlu devrelerin AC analizi. DC güç kaynağı tasarımı (doğrultucular,
kondansatör süzgeçli yapının analizi). Zener diyot ve regülasyon. Gövde direnci ve parazitik kapasiteler. Diğer diyot
türleri. Bipolar jonksiyonlu transistorun (BJT) fiziksel yapısı ve davranışı, Early olayı, BJT çalışma bölgeleri, elektriksel
modeli (Ebers-Moll) ve karakteristikleri. BJT'li devrelerin DC kutuplaması ve ısıl kararlılığı. MOSFET'in fiziksel yapısı
ve davranışı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri, önemli ikincil etkiler (kanal boyu modülasyonu, gövde etkisi).
MOSFET'li devrelerin DC kutuplaması ve ısıl kararlılığı. BJT ve MOSFET'in anahtar uygulamaları, kavramsal olarak
sayısal devrelerdeki kullanımı.

Koordinatörleri
İsmail Çevik
Dersin Dili
İngilizce
 
 
Dersler . Yardım . Hakkında
Ninova, İTÜ Bilgi İşlem Daire Başkanlığı ürünüdür. © 2018