Hoşgeldiniz, Misafir . Oturum Aç . English
Neredeyim: Ninova / Dersler / Fen Bilimleri Enstitüsü / ELE 501E - Elektronik Devre ve Sistemlerde Gürültü
 

ELE 501E - Elektronik Devre ve Sistemlerde Gürültü

Dersin Amaçları

ÇKT, Farklı jonksiyonlu ÇKT, GaAs MESFET, HEMT, MOS ve SiGe Tranzistorlarının Gürültü davranışları. The gain and noise optimization in HEMT, YS MOS ve SiGe Tranzistorlu ön-kat kuvvetlendiricilerde Kazanç ve Gürültü optimizasyonu. Schotky Engelli Diyotlu, GaAs MESFET, YS MOS ve SiGe Tranzistorlu Karıştırıcıların Gürültü davranışları, Parametrik kuvvetlendirici ve Üst- Çeviricilerde gürültü, MESFET’li Dağılmış parametreli Kuvvetlendirici ve Karıştırıcılarda gürültü. Ardışıl ve paralel bağlı devrelerin Gürültü parametreleri. YS MOS ve MESFET’li Osilatörlerde Evre Gürültüsü, Gürültü Sayısı Ölçümü Yöntemleri.

Dersin Tanımı

ÇKT, Farklı jonksiyonlu ÇKT, GaAs MESFET, HEMT, MOS ve SiGe Tranzistorlarının Gürültü davranışları. The gain and noise optimization in HEMT, YS MOS ve SiGe Tranzistorlu ön-kat kuvvetlendiricilerde Kazanç ve Gürültü optimizasyonu. Schotky Engelli Diyotlu, GaAs MESFET, YS MOS ve SiGe Tranzistorlu Karıştırıcıların Gürültü davranışları, Parametrik kuvvetlendirici ve Üst- Çeviricilerde gürültü, MESFET’li Dağılmış parametreli Kuvvetlendirici ve Karıştırıcılarda gürültü. Ardışıl ve paralel bağlı devrelerin Gürültü parametreleri. YS MOS ve MESFET’li Osilatörlerde Evre Gürültüsü, Gürültü Sayısı Ölçümü Yöntemleri.

Koordinatörleri
Mustafa Berke Yelten
Dersin Dili
İngilizce
 
 
Dersler . Yardım . Hakkında
Ninova, İTÜ Bilgi İşlem Daire Başkanlığı ürünüdür. © 2018