Hoşgeldiniz, Misafir . Oturum Aç . English
Neredeyim: Ninova / Dersler / Elektrik-Elektronik Fakültesi / EHB 442E / Dersin Bilgileri
 

Dersin Bilgileri

Dersin Adı
Türkçe Yarıiletken Devre Elemanları
İngilizce Semiconductor Devices
Dersin Kodu
EHB 442E Kredi Ders
(saat/hafta)
Uygulama
(saat/hafta)
Labratuvar
(saat/hafta)
Dönem -
3 3 - -
Dersin Dili İngilizce
Dersin Koordinatörü Mustafa Berke Yelten
Dersin Amaçları 1.Elektron-delik iletim mekanizmalarının anlaşılmasını sağlama,
2.Yarıiletken elemanların akım-gerilim değerlerini hesaplayabilme,
3.Yarıiletken elemanların akım-gerilim karakteristiklerini yorumlayabilme,
4.Yeni eleman tasarlayabilme ve boyutlandırabilme.
Dersin Tanımı Yarıiletken kristalin bileşenleri. Poisson, akım ve süreklilik denklemleri. Enerji bant diyagramları. Isıl dengede yarıiletken. İnjeksiyon düzeyi. Tuzak kuramı. Isıl dengede BJT. Kutuplanmış BJT. BJT'de kuvvetli kutuplama etkileri. BJT'de dinamik davranış. MOSFET yapısı. Kutuplanmış MOSFET.
MOSFET'te kuvvetli evirtim ve eşikaltı modelleri. MOSFET'te yapısal optimizasyon, ikincil olaylar ve dinamik davranış.
Dersin Çıktıları
Önkoşullar
Gereken Olanaklar
Diğer
Ders Kitabı
Diğer Referanslar
 
 
Dersler . Yardım . Hakkında
Ninova, İTÜ Bilgi İşlem Daire Başkanlığı ürünüdür. © 2019