Hoş Geldiniz,
Misafir
.
Oturum Aç
.
English
NİNOVA
DERSLER
YARDIM
HAKKINDA
Neredeyim:
Ninova
/
Dersler
/
Elektrik-Elektronik Fakültesi
/
EHB 231E
/
Dersin Bilgileri
Fakülteye dön
Ana Sayfa
Dersin Bilgileri
Dersin Haftalık Planı
Değerlendirme Kriterleri
Dersin Bilgileri
Dersin Adı
Türkçe
Elektronik I
İngilizce
Electronics I
Dersin Kodu
EHB 231E
Kredi
Ders
(saat/hafta)
Uygulama
(saat/hafta)
Labratuvar
(saat/hafta)
Dönem
3
3
3
-
-
Dersin Dili
İngilizce
Dersin Koordinatörü
Onur Kurt
Dersin Amaçları
Bu dersin amacı
1. Katı cisimlerdeki iletim mekanizmalarını,
2. Diyot, bipolar transistor (BJT) ve MOS transistorun (MOSFET) akım mekanizmalarını,
3. Transistor modelleri, transistorların DC kutuplamalarını,
4. BJT ve MOSFET anahtar uygulamalarını tanıtmaktır.
Dersin Tanımı
İletim. Yarıiletkenler, taşıyıcılar, p-tipi ve n-tipi katkılama, sürüklenme ve difüzyon mekanizmaları, pn jonksiyonunun fiziksel yapısı ve davranışı. İdeal diyot, gerçek diyot, elektriksel davranışı ve akım-gerilim eğrisi. Diyot modeli, diyotlu devrelerin DC analiz yöntemleri (sabit gerilim düşümü modeli, üstel modelle sabit nokta iterasyonu). Küçük işaret yaklaşıklığı, diyot küçük işaret eşdeğeri ve diyotlu devrelerin AC analizi. DC güç kaynağı tasarımı (doğrultucular, kondansatör süzgeçli yapının analizi). Zener diyot ve regülasyon. Gövde direnci ve parazitik kapasiteler. Diğer diyot türleri. Bipolar jonksiyonlu transistorun (BJT) fiziksel yapısı ve davranışı, Early olayı, BJT çalışma bölgeleri, elektriksel modeli (Ebers-Moll) ve karakteristikleri. BJT'li devrelerin DC kutuplaması ve ısıl kararlılığı. MOSFET'in fiziksel yapısı ve davranışı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri, önemli ikincil etkiler (kanal boyu modülasyonu, gövde etkisi).
MOSFET'li devrelerin DC kutuplaması ve ısıl kararlılığı. BJT ve MOSFET'in anahtar uygulamaları, kavramsal olarak sayısal devrelerdeki kullanımı.
Dersin Çıktıları
Bu dersi başarıyla tamamlayan öğrenciler;
I. Katılardaki iletim mekanizmalarını kavrayıp, iletimle ilgili büyüklükleri hesaplayabilme,
II. Jonksiyon davranışını kavrayarak, diyotlar ve diyotların temel uygulamaları ile ilgili hesapları
yapabilme,
III. BJT temel parametreleri, modelleri, DC kutuplamalarını hesaplayabilme,
IV. MOSFET temel parametreleri, modelleri, DC kutuplamalarını hesaplayabilme,
V. BJT ve MOSFET anahtar davranışı ile ilgili uygulamayı yapabilme kavrama becerilerini kazanır
Önkoşullar
Gereken Olanaklar
Diğer
Ders Kitabı
Diğer Referanslar
Dersler
.
Yardım
.
Hakkında
Ninova, İTÜ Bilgi İşlem Daire Başkanlığı ürünüdür. © 2024