EEF 262E - Elektroniğin Tamelleri

Dersin Amaçları

Bu dersin amacı
1) Katı cisimlerdeki iletim mekanizmalarını,
2) Diyot, bipolar transistor (BJT) ve MOS transistorun (MOSFET) akım mekanizmalarını,
3) Transistor modelleri, transistorların DC kutuplamalarını,
4) BJT ve MOSFET kuvvetlendiricilerinin kazanç, giriş ve çıkış dirençlerini hesaplama yöntemlerini,
5) Temel analog kuvvetlendirici katlarının tanıtılması ve analizini gerçekleştirmektir

Dersin Tanımı

Elektroniğin Temelleri dersinin ilk bölümünde katı hal fiziğinin temelleri, yarı iletken malzemelerin özellikleri, akım taşıyıcılar, sürüklenme ve yayınım mekanizmalarının öğrenilir. İkinci bölümde en temel elektronik devre elemanları olan diyotların yapısı, devre analizinde kullanılan diyot modelleri, diyot devreleri ve farklı diyot türleri incelenir. Üçüncü bölümde ise transistor türleri, yapıları, ikincil etkiler ve transistor devreleri incelenir. Dördüncü bölümde kuvvetlendirme kavramın açıklanır ve ideal akım/gerilim/geçiş-iletkenliği/geçiş-direnci kuvvetlendiricilerinin özellikleri incelenir. Sonrasında tranzistorlu (BJT, MOSFET) devrelerin DC ve ısıl hassasiyet analizi yapılır. BJT ve MOSFET'in küçük işaret eşdeğeri bulunur ve BJT ve MOSFET'li kuvvetlendiricilerin AC analizi gerçekleştirilir. Temel kuvvetlendirici katların kazanç ve giriş/çıkış dirençleri ve kaskat (doğrudan/kapasitif bağlı) kuvvetlendiricilerin analizi yapılır. Kaskod yapı, Darlington yapısı incelenir. Fark kuvvetlendiricisi, fark ve ortak işaret kazancı, ortak işareti bastırma oranı, akım kaynakları, aktif yüklü devreler ve idealsizlikler işlenecektir. Son olarak ideal ve ideal olmayan işlemsel yükselteçlerin doğrusal ve doğrusal olmayan uygulamaları ele alınacaktır.