Hoş Geldiniz, Misafir . Oturum Aç . English
Neredeyim: Ninova / Dersler / Elektrik-Elektronik Fakültesi / EEF 262E - Elektroniğin Temelleri
 

EEF 262E - Elektroniğin Temelleri

Dersin Amaçları

Bu dersin amacı;
1) Katı cisimlerdeki iletim mekanizmalarını,
2) Diyot, bipolar transistor (BJT) ve MOS transistorun (MOSFET) akım mekanizmalarını,
3) Transistor modelleri, transistorların DC kutuplamalarını,
4) BJT ve MOSFET kuvvetlendiricilerinin kazanç, giriş ve çıkış dirençlerini hesaplama yöntemlerini,
5) Temel analog kuvvetlendirici katlarının tanıtılması ve analizini gerçekleştirmektir

Dersin Tanımı

Elektroniğin Temelleri dersinin ilk bölümünde katı hal fiziğinin temelleri, yarı iletken malzemelerin
özellikleri, akım taşıyıcılar, sürüklenme ve yayınım mekanizmalarının öğrenilir. İkinci bölümde en temel
elektronik devre elemanları olan diyotların yapısı, devre analizinde kullanılan diyot modelleri, diyot
devreleri ve farklı diyot türleri incelenir. Üçüncü bölümde ise transistor türleri, yapıları, ikincil etkiler ve
transistor devreleri incelenir. Dördüncü bölümde kuvvetlendirme kavramın açıklanır ve ideal
akım/gerilim/geçiş-iletkenliği/geçiş-direnci kuvvetlendiricilerinin özellikleri incelenir. Sonrasında
tranzistorlu (BJT, MOSFET) devrelerin DC ve ısıl hassasiyet analizi yapılır. BJT ve MOSFET'in küçük işaret
eşdeğeri bulunur ve BJT ve MOSFET'li kuvvetlendiricilerin AC analizi gerçekleştirilir. Temel kuvvetlendirici
katların kazanç ve giriş/çıkış dirençleri ve kaskat (doğrudan/kapasitif bağlı) kuvvetlendiricilerin analizi
yapılır. Kaskod yapı, Darlington yapısı incelenir. Fark kuvvetlendiricisi, fark ve ortak işaret kazancı, ortak
işareti bastırma oranı, akım kaynakları, aktif yüklü devreler ve idealsizlikler işlenecektir. Son olarak ideal
ve ideal olmayan işlemsel yükselteçlerin doğrusal ve doğrusal olmayan uygulamaları ele alınacaktır.

Koordinatörleri
Hacer Atar Yıldız
Dersin Dili
İngilizce
 
 
Dersler . Yardım . Hakkında
Ninova, İTÜ Bilgi İşlem Daire Başkanlığı ürünüdür. © 2024