Dersin Bilgileri

Dersin Adı	Türkçe	Elektroniğin Temelleri
	İngilizce	Fundamentals of Electronics
Dersin Kodu	EEF 262E	Kredi	Ders (saat/hafta)	Uygulama (saat/hafta)	Labratuvar (saat/hafta)
Dönem	4	4	-	-	-
Dersin Dili		İngilizce
Dersin Koordinatörü		Hacer Atar Yıldız
Dersin Amaçları		Bu dersin amacı; 1) Katı cisimlerdeki iletim mekanizmalarını, 2) Diyot, bipolar transistor (BJT) ve MOS transistorun (MOSFET) akım mekanizmalarını, 3) Transistor modelleri, transistorların DC kutuplamalarını, 4) BJT ve MOSFET kuvvetlendiricilerinin kazanç, giriş ve çıkış dirençlerini hesaplama yöntemlerini, 5) Temel analog kuvvetlendirici katlarının tanıtılması ve analizini gerçekleştirmektir
Dersin Tanımı		Elektroniğin Temelleri dersinin ilk bölümünde katı hal fiziğinin temelleri, yarı iletken malzemelerin özellikleri, akım taşıyıcılar, sürüklenme ve yayınım mekanizmalarının öğrenilir. İkinci bölümde en temel elektronik devre elemanları olan diyotların yapısı, devre analizinde kullanılan diyot modelleri, diyot devreleri ve farklı diyot türleri incelenir. Üçüncü bölümde ise transistor türleri, yapıları, ikincil etkiler ve transistor devreleri incelenir. Dördüncü bölümde kuvvetlendirme kavramın açıklanır ve ideal akım/gerilim/geçiş-iletkenliği/geçiş-direnci kuvvetlendiricilerinin özellikleri incelenir. Sonrasında tranzistorlu (BJT, MOSFET) devrelerin DC ve ısıl hassasiyet analizi yapılır. BJT ve MOSFET'in küçük işaret eşdeğeri bulunur ve BJT ve MOSFET'li kuvvetlendiricilerin AC analizi gerçekleştirilir. Temel kuvvetlendirici katların kazanç ve giriş/çıkış dirençleri ve kaskat (doğrudan/kapasitif bağlı) kuvvetlendiricilerin analizi yapılır. Kaskod yapı, Darlington yapısı incelenir. Fark kuvvetlendiricisi, fark ve ortak işaret kazancı, ortak işareti bastırma oranı, akım kaynakları, aktif yüklü devreler ve idealsizlikler işlenecektir. Son olarak ideal ve ideal olmayan işlemsel yükselteçlerin doğrusal ve doğrusal olmayan uygulamaları ele alınacaktır.
Dersin Çıktıları		Bu dersi başarıyla tamamlayan öğrenciler; I. Katılardaki iletim mekanizmalarını kavrayıp, iletimle ilgili büyüklükleri hesaplayabilme, II. Jonksiyon davranışını kavrayarak, diyotlar ve diyotların temel uygulamaları ile ilgili hesapları yapabilme, III. BJT temel parametreleri, modelleri, DC kutuplamalarını hesaplayabilme, IV. MOSFET temel parametreleri, modelleri, DC kutuplamalarını hesaplayabilme, V. BJT ve MOSFET’lerin fiziksel temellerinden yola çıkarak küçük işaret modellerini ortaya koyabilir. VI. BJT ve MOSFET’lerin kutuplamalarını nasıl gerçekleştireceklerini anlar. VII. Kazanç, giriş ve çıkış direnci ifadelerini bularak BJT ve MOSFET kuvvetlendiricilerin küçük işaret analizlerini yapmayı öğrenir. VIII. BJT ve MOSFET’lerin farklı konfigürasyonlarının (kaskod vb.) belirli bir görevi gerçekleştirme (akım kaynağı, akım aynası vs.) amacıyla kullanılabildiklerini kavrar. IX. Fark kuvvetlendiricilerin kutuplamasını ve küçük işaret analizi yapma yöntemini öğrenir. X. Fark kuvvetlendiricilerindeki ideal dışı halleri ve sonuçlarını anlar. XI. İşlemsel yükselteçlerin özelliklerini ve uygulamalarını irdeler
Önkoşullar		EHB 211 MIN DD veya EHB 211E MIN DD veya EEF 211 MIN DD veya EEF 211E MIN DD
Gereken Olanaklar
Diğer
Ders Kitabı		B. Razavi, “Microelectronics”, 2nd edition, Wiley, 2015
Diğer Referanslar		1. A.S. Sedra, K.C. Smith, "Microelectronic Circuits", 7th edition, Oxford University Press, 2015. 2. Mehmet Sait Türköz, “Elektronik”, Birsen Yayınevi, 2009.

Dersler

Yardım

Hakkında