EEF 262E - Elektroniğin Temelleri CRN: 22026

Dersin Amaçları

Budersinamacı
1) Katıcisimlerdekiiletimmekanizmalarını,
2) Diyot,bipolartransistor(BJT)veMOStransistorun(MOSFET)akımmekanizmalarını,
3) Transistormodelleri,transistorlarınDCkutuplamalarını,
4) BJTveMOSFETkuvvetlendiricilerininkazanç,girişveçıkışdirençlerinihesaplamayöntemlerini,
5) Temelanalogkuvvetlendiricikatlarınıntanıtılmasıveanalizinigerçekleştirmektir.Thiscourseaims

Dersin Tanımı

ElektroniğinTemelleri dersinin ilkbölümünde katı hal fiziğinin temelleri, yarı iletkenmalzemelerin
özellikleri,akımtaşıyıcılar,sürüklenmeveyayınımmekanizmalarınınöğrenilir.İkincibölümdeentemel
elektronikdevreelemanları olandiyotlarınyapısı, devreanalizindekullanılandiyotmodelleri, diyot
devrelerivefarklıdiyottürleriincelenir.Üçüncübölümdeisetransistortürleri,yapıları,ikinciletkilerve
transistor devreleri incelenir. Dördüncü bölümde kuvvetlendirme kavramın açıklanır ve ideal
akım/gerilim/geçiş-iletkenliği/geçiş-direnci kuvvetlendiricilerinin özellikleri incelenir. Sonrasında
tranzistorlu(BJT,MOSFET)devrelerinDCveısılhassasiyetanaliziyapılır.BJTveMOSFET'inküçükişaret
eşdeğeribulunurveBJTveMOSFET'likuvvetlendiricilerinACanalizigerçekleştirilir.Temelkuvvetlendirici
katlarınkazançvegiriş/çıkışdirençleri vekaskat (doğrudan/kapasitifbağlı) kuvvetlendiricilerinanalizi
yapılır.Kaskodyapı,Darlingtonyapısıincelenir.Farkkuvvetlendiricisi,farkveortakişaretkazancı,ortak
işaretibastırmaoranı,akımkaynakları,aktifyüklüdevrelerveidealsizliklerişlenecektir.Sonolarakideal
veidealolmayanişlemselyükselteçlerindoğrusalvedoğrusalolmayanuygulamalarıelealınacaktır.