Dersin Bilgileri

Dersin Adı	Türkçe	Elektroniğin Temelleri CRN: 22026
	İngilizce	Fundamentals of Electronics CRN: 22026
Dersin Kodu	EEF 262E	Kredi	Ders (saat/hafta)	Uygulama (saat/hafta)	Labratuvar (saat/hafta)
Dönem	-	4	4	-	-
Dersin Dili		İngilizce
Dersin Koordinatörü		Sheıda Farajı
Dersin Amaçları		Budersinamacı 1) Katıcisimlerdekiiletimmekanizmalarını, 2) Diyot,bipolartransistor(BJT)veMOStransistorun(MOSFET)akımmekanizmalarını, 3) Transistormodelleri,transistorlarınDCkutuplamalarını, 4) BJTveMOSFETkuvvetlendiricilerininkazanç,girişveçıkışdirençlerinihesaplamayöntemlerini, 5) Temelanalogkuvvetlendiricikatlarınıntanıtılmasıveanalizinigerçekleştirmektir.Thiscourseaims
Dersin Tanımı		ElektroniğinTemelleri dersinin ilkbölümünde katı hal fiziğinin temelleri, yarı iletkenmalzemelerin özellikleri,akımtaşıyıcılar,sürüklenmeveyayınımmekanizmalarınınöğrenilir.İkincibölümdeentemel elektronikdevreelemanları olandiyotlarınyapısı, devreanalizindekullanılandiyotmodelleri, diyot devrelerivefarklıdiyottürleriincelenir.Üçüncübölümdeisetransistortürleri,yapıları,ikinciletkilerve transistor devreleri incelenir. Dördüncü bölümde kuvvetlendirme kavramın açıklanır ve ideal akım/gerilim/geçiş-iletkenliği/geçiş-direnci kuvvetlendiricilerinin özellikleri incelenir. Sonrasında tranzistorlu(BJT,MOSFET)devrelerinDCveısılhassasiyetanaliziyapılır.BJTveMOSFET'inküçükişaret eşdeğeribulunurveBJTveMOSFET'likuvvetlendiricilerinACanalizigerçekleştirilir.Temelkuvvetlendirici katlarınkazançvegiriş/çıkışdirençleri vekaskat (doğrudan/kapasitifbağlı) kuvvetlendiricilerinanalizi yapılır.Kaskodyapı,Darlingtonyapısıincelenir.Farkkuvvetlendiricisi,farkveortakişaretkazancı,ortak işaretibastırmaoranı,akımkaynakları,aktifyüklüdevrelerveidealsizliklerişlenecektir.Sonolarakideal veidealolmayanişlemselyükselteçlerindoğrusalvedoğrusalolmayanuygulamalarıelealınacaktır.
Dersin Çıktıları		Bu dersi başarıyla tamamlayan öğrenciler; I. Katılardaki iletim mekanizmalarını kavrayıp, iletimle ilgili büyüklükleri hesaplayabilme, II. Jonksiyon davranışını kavrayarak, diyotlar ve diyotların temel uygulamaları ile ilgili hesapları yapabilme, III. BJT temel parametreleri, modelleri, DC kutuplamalarını hesaplayabilme, IV. MOSFET temel parametreleri, modelleri, DC kutuplamalarını hesaplayabilme, V. BJT ve MOSFET’lerin fiziksel temellerinden yola çıkarak küçük işaret modellerini ortaya koyabilir. VI. BJT ve MOSFET’lerin kutuplamalarını nasıl gerçekleştireceklerini anlar. VII. Kazanç, giriş ve çıkış direnci ifadelerini bularak BJT ve MOSFET kuvvetlendiricilerin küçük işaret analizlerini yapmayı öğrenir. VIII. BJT ve MOSFET’lerin farklı konfigürasyonlarının (kaskod vb.) belirli bir görevi gerçekleştirme (akım kaynağı, akım aynası vs.) amacıyla kullanılabildiklerini kavrar. IX. Fark kuvvetlendiricilerin kutuplamasını ve küçük işaret analizi yapma yöntemini öğrenir. X. Fark kuvvetlendiricilerindeki ideal dışı halleri ve sonuçlarını anlar. XI. İşlemsel yükselteçlerin özelliklerini ve uygulamalarını irdeler.
Önkoşullar		Önkoşullar
Gereken Olanaklar		Gereken Olanaklar
Diğer		Diğer
Ders Kitabı		1. A.S. Sedra, K.C. Smith, "Microelectronic Circuits", 7th edition, Oxford University Press, 2015. 2. B. Razavi, “Microelectronics”, 2nd edition, Wiley, 2015 3. Mehmet Sait Türköz, “Elektronik”, Birsen Yayınevi, 2009.
Diğer Referanslar		Diğer Referanslar

Dersler

Yardım

Hakkında